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Produit

AFGB40T65RQDN

IGBT FIELD STOP 650V 68A TO-263

AFGB40T65RQDN
Modèle
AFGB40T65RQDN
Fabricant
onsemi
Catégories
IGBTs simples
Emballage
Cut Tape (CT)
RoHS
Conforme
Fiche technique
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Spécifications techniques

  • Statut de la pièce Active
  • Type de montage Surface Mount
  • Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 输入类型 Standard
  • Fournisseur Dispositif Emballage TO-263 (D2PAK)
  • Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Charge de grille 51 nC
  • Courant - Collecteur Pulsé (Icm) 160 A
  • Temps de récupération inverse (trr) 52 ns
  • Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 650 V
  • Courant - Collecteur (Ic) (Max) 68 A
  • Type d'IGBT Field Stop
  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.82V @ 15V, 40A
  • Puissance - Max 339.37 W
  • Énergie de Commutation 470µJ (on), 420µJ (off)
  • Td (on/off) @ 25°C 21ns/77ns
  • Condition de test 400V, 20A, 3Ohm, 15V

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