- Modèle
- APT50GN60BDQ3G
- Fabricant
- Microchip Technology
- Catégories
- IGBTs simples
- Emballage
- Tube
- RoHS
- Conforme
Spécifications techniques
- Type de montage Through Hole
- Statut de la pièce Active
- Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
- Boîtier TO-247-3
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 600 V
- 输入类型 Standard
- Temps de récupération inverse (trr) 35 ns
- Fournisseur Dispositif Emballage TO-247-3
- Courant - Collecteur Pulsé (Icm) 150 A
- Type d'IGBT Trench Field Stop
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 107 A
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 50A
- Puissance - Max 366 W
- Charge de grille 325 nC
- Td (on/off) @ 25°C 20ns/230ns
- Condition de test 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V
- Énergie de Commutation 1.185mJ (on), 1.565mJ (off)