- Modèle
- APT75GN60BDQ2G
- Fabricant
- Microchip Technology
- Catégories
- IGBTs simples
- Emballage
- Tube
- RoHS
- Conforme
Spécifications techniques
- Type de montage Through Hole
- Statut de la pièce Active
- Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
- Boîtier TO-247-3
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 600 V
- 输入类型 Standard
- Temps de récupération inverse (trr) 25 ns
- Fournisseur Dispositif Emballage TO-247-3
- Type d'IGBT Trench Field Stop
- Puissance - Max 536 W
- Courant - Collecteur Pulsé (Icm) 225 A
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 155 A
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 75A
- Charge de grille 485 nC
- Td (on/off) @ 25°C 47ns/385ns
- Condition de test 400V, 75A, 1Ohm, 15V
- Énergie de Commutation 2.5mJ (on), 2.14mJ (off)