- Modèle
- APTGL60DH120T3G
- Fabricant
- Microsemi Corporation
- Catégories
- Modules IGBT
- Emballage
- Bulk
- RoHS
- Conforme
Spécifications techniques
- Statut de la pièce Obsolete
- Type de montage Chassis Mount
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 1200 V
- 输入 Standard
- Courant de collecteur de coupure (Max) 250 µA
- Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 80 A
- Thermistance NTC Yes
- Type d'IGBT Trench Field Stop
- Puissance - Max 280 W
- Boîtier SP3
- Fournisseur Dispositif Emballage SP3
- Configuration Asymmetrical Bridge
- Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 2.77 nF @ 25 V
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.25V @ 15V, 50A