- Modèle
- APTGT50A1202G
- Fabricant
- Microsemi Corporation
- Catégories
- Modules IGBT
- Emballage
- Bulk
- RoHS
- Conforme
Spécifications techniques
- Statut de la pièce Obsolete
- Type de montage Chassis Mount
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 1200 V
- Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
- Configuration Half Bridge
- 输入 Standard
- Thermistance NTC No
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 75 A
- Type d'IGBT Trench Field Stop
- Courant de collecteur de coupure (Max) 50 µA
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A
- Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 3.6 nF @ 25 V
- Puissance - Max 277 W
- Boîtier SP2
- Fournisseur Dispositif Emballage SP2