- Modèle
- APTGX100A120T1G
- Fabricant
- Microchip Technology
- Catégories
- Modules IGBT
- Emballage
- Bulk
- RoHS
- Conforme
- Fiche technique
- Télécharger
Spécifications techniques
- Statut de la pièce Active
- Type de montage Chassis Mount
- Fournisseur Dispositif Emballage -
- Boîtier Module
- Type d'IGBT -
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 1200 V
- Configuration Half Bridge
- 输入 Standard
- Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
- Thermistance NTC Yes
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 155 A
- Puissance - Max 416 W
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 100A
- Courant de collecteur de coupure (Max) 15 µA
- Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 20000 pF @ 25 V
