- Modèle
- DF650R17IE4PB60BPSA1
- Fabricant
- Infineon Technologies
- Catégories
- Modules IGBT
- Emballage
- Tray
- RoHS
- Conforme
Spécifications techniques
- Statut de la pièce Active
- Type de montage Chassis Mount
- Configuration Single
- Boîtier Module
- Type d'IGBT -
- Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
- 输入 Standard
- Courant de collecteur de coupure (Max) 5 mA
- Fournisseur Dispositif Emballage Module
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 1700 V
- Thermistance NTC Yes
- Puissance - Max 4150 W
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 650A
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 930 A
- Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 54000 pF @ 25 V