- Modèle
- DGTD65T50S1PT
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Catégories
- IGBTs simples
- Emballage
- Tube
- RoHS
- Conforme
Spécifications techniques
- Statut de la pièce Obsolete
- Type de montage Through Hole
- Boîtier TO-247-3
- 输入类型 Standard
- Courant - Collecteur Pulsé (Icm) 200 A
- Temps de récupération inverse (trr) 80 ns
- Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100 A
- Fournisseur Dispositif Emballage TO-247
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 650 V
- Puissance - Max 375 W
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 50A
- Type d'IGBT Field Stop
- Énergie de Commutation 770µJ (on), 550µJ (off)
- Charge de grille 287 nC
- Td (on/off) @ 25°C 58ns/328ns
- Condition de test 400V, 50A, 7.9Ohm, 15V