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Produit

FF200R12W2T7EB11BPSA1

FF200R12W2T7EB11BPSA1

FF200R12W2T7EB11BPSA1
Modèle
FF200R12W2T7EB11BPSA1
Catégories
Modules IGBT
Emballage
Tray
RoHS
Conforme

Spécifications techniques

  • Statut de la pièce Active
  • Type de montage Chassis Mount
  • Fournisseur Dispositif Emballage -
  • Boîtier Module
  • Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 1200 V
  • 输入 Standard
  • Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Thermistance NTC Yes
  • Type d'IGBT Trench Field Stop
  • Courant - Collecteur (Ic) (Max) 165 A
  • Puissance - Max 20 mW
  • Configuration Half Bridge Inverter
  • Courant de collecteur de coupure (Max) 15 µA
  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 200A
  • Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 43400 pF @ 25 V

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