- Modèle
- FGY4L75T120SWD
- Fabricant
- onsemi
- Catégories
- IGBTs simples
- Emballage
- Tube
- RoHS
- Conforme
- Fiche technique
- Télécharger
Spécifications techniques
- Type de montage Through Hole
- Statut de la pièce Active
- Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grade -
- Qualification -
- 输入类型 Standard
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 1200 V
- Courant - Collecteur Pulsé (Icm) 300 A
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 150 A
- Boîtier TO-247-4
- Fournisseur Dispositif Emballage TO-247-4L
- Type d'IGBT Field Stop
- Puissance - Max 652 W
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 75A
- Énergie de Commutation 2.9mJ (on), 2.1mJ (off)
- Charge de grille 225.6 nC
- Td (on/off) @ 25°C 65.6ns/241.6ns
- Condition de test 600V, 75A, 11.5Ohm, 15V
- Temps de récupération inverse (trr) 208 ns
