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Produit

FPF2C8P2NL07A

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

FPF2C8P2NL07A
Modèle
FPF2C8P2NL07A
Catégories
Modules IGBT
Emballage
Bulk
RoHS
Conforme
Fiche technique
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Spécifications techniques

  • Statut de la pièce Active
  • Type de montage Chassis Mount
  • Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 输入 Standard
  • Courant de collecteur de coupure (Max) 250 µA
  • Courant - Collecteur (Ic) (Max) 30 A
  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 30A
  • Thermistance NTC Yes
  • Puissance - Max 135 W
  • Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 650 V
  • Type d'IGBT Field Stop
  • Configuration Three Phase
  • Boîtier F2 Module
  • Fournisseur Dispositif Emballage F2

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