- Modèle
- GH50H65DRB2-7AG
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Catégories
- IGBTs simples
- Emballage
- Bulk
- RoHS
- Conforme
- Fiche technique
- Télécharger
Spécifications techniques
- Statut de la pièce Active
- Type de montage Surface Mount
- Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grade Automotive
- Qualification AEC-Q101
- Boîtier TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- 输入类型 Standard
- Courant - Collecteur Pulsé (Icm) 200 A
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 650 V
- Type d'IGBT Trench Field Stop
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 50A
- Condition de test 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
- Puissance - Max 385 W
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 108 A
- Fournisseur Dispositif Emballage H2PAK-7
- Charge de grille 152 nC
- Énergie de Commutation 557µJ (off)
- Td (on/off) @ 25°C -/117ns
- Temps de récupération inverse (trr) 912 ns
