- Modèle
- GT10G131(TE12L,Q)
- Fabricant
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Catégories
- IGBTs simples
- Emballage
- Tape & Reel (TR)
- RoHS
- Conforme
- Fiche technique
- Télécharger
Spécifications techniques
- Statut de la pièce Obsolete
- Type de montage Surface Mount
- Puissance - Max 1 W
- Température de fonctionnement 150°C (TJ)
- Type d'IGBT -
- 输入类型 Standard
- Condition de test -
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 400 V
- Énergie de Commutation -
- Courant - Collecteur Pulsé (Icm) 200 A
- Boîtier 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
- Fournisseur Dispositif Emballage 8-SOP (5.5x6.0)
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 4V, 200A
- Td (on/off) @ 25°C 3.1µs/2µs
