- Modèle
- GT10J312(Q)
- Fabricant
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Catégories
- IGBTs simples
- Emballage
- Tube
- RoHS
- Conforme
- Fiche technique
- Télécharger
Spécifications techniques
- Statut de la pièce Obsolete
- Type de montage Through Hole
- Fournisseur Dispositif Emballage -
- Temps de récupération inverse (trr) 200 ns
- Température de fonctionnement 150°C (TJ)
- Type d'IGBT -
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 600 V
- 输入类型 Standard
- Puissance - Max 60 W
- Énergie de Commutation -
- Boîtier TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 10A
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 10 A
- Courant - Collecteur Pulsé (Icm) 20 A
- Td (on/off) @ 25°C 400ns/400ns
- Condition de test 300V, 10A, 100Ohm, 15V
