- Modèle
- GT20J341,S4X(S
- Fabricant
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Catégories
- IGBTs simples
- Emballage
- Tube
- RoHS
- Conforme
- Fiche technique
- Télécharger
Spécifications techniques
- Type de montage Through Hole
- Statut de la pièce Active
- Température de fonctionnement 150°C (TJ)
- Type d'IGBT -
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 600 V
- 输入类型 Standard
- Boîtier TO-220-3 Full Pack
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 20 A
- Puissance - Max 45 W
- Courant - Collecteur Pulsé (Icm) 80 A
- Temps de récupération inverse (trr) 90 ns
- Fournisseur Dispositif Emballage TO-220SIS
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 20A
- Énergie de Commutation 500µJ (on), 400µJ (off)
- Td (on/off) @ 25°C 60ns/240ns
- Condition de test 300V, 20A, 33Ohm, 15V
