- Modèle
- GT30J121(Q)
- Fabricant
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Catégories
- IGBTs simples
- Emballage
- Tube
- RoHS
- Conforme
- Fiche technique
- Télécharger
Spécifications techniques
- Type de montage Through Hole
- Statut de la pièce Active
- Type d'IGBT -
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 600 V
- 输入类型 Standard
- Boîtier TO-3P-3, SC-65-3
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 30 A
- Courant - Collecteur Pulsé (Icm) 60 A
- Puissance - Max 170 W
- Fournisseur Dispositif Emballage TO-3P(N)
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 30A
- Énergie de Commutation 1mJ (on), 800µJ (off)
- Td (on/off) @ 25°C 90ns/300ns
- Condition de test 300V, 30A, 24Ohm, 15V
