- Modèle
- GT30J341,Q
- Fabricant
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Catégories
- IGBTs simples
- Emballage
- Tray
- RoHS
- Conforme
- Fiche technique
- Télécharger
Spécifications techniques
- Type de montage Through Hole
- Statut de la pièce Last Time Buy
- Temps de récupération inverse (trr) 50 ns
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 600 V
- 输入类型 Standard
- Boîtier TO-3P-3, SC-65-3
- Courant - Collecteur Pulsé (Icm) 120 A
- Température de fonctionnement 175°C (TJ)
- Puissance - Max 230 W
- Fournisseur Dispositif Emballage TO-3P(N)
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 30A
- Condition de test 300V, 30A, 24Ohm, 15V
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 59 A
- Énergie de Commutation 800µJ (on), 600µJ (off)
- Td (on/off) @ 25°C 80ns/280ns
