- Modèle
- GT30J65MRB,S1E
- Fabricant
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Catégories
- IGBTs simples
- Emballage
- Tube
- RoHS
- Conforme
- Fiche technique
- Télécharger
Spécifications techniques
- Type de montage Through Hole
- Statut de la pièce Active
- Temps de récupération inverse (trr) 200 ns
- Type d'IGBT -
- 输入类型 Standard
- Puissance - Max 200 W
- Boîtier TO-3P-3, SC-65-3
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 60 A
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 30A
- Température de fonctionnement 175°C (TJ)
- Charge de grille 70 nC
- Fournisseur Dispositif Emballage TO-3P(N)
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 650 V
- Énergie de Commutation 1.4mJ (on), 220µJ (off)
- Td (on/off) @ 25°C 75ns/400ns
- Condition de test 400V, 15A, 56Ohm, 15V
