- Modèle
- GT30N135SRA,S1E
- Fabricant
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Catégories
- IGBTs simples
- Emballage
- Tube
- RoHS
- Conforme
- Fiche technique
- Télécharger
Spécifications techniques
- Type de montage Through Hole
- Statut de la pièce Active
- Boîtier TO-247-3
- Type d'IGBT -
- 输入类型 Standard
- Td (on/off) @ 25°C -
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 60 A
- Courant - Collecteur Pulsé (Icm) 120 A
- Température de fonctionnement 175°C (TJ)
- Fournisseur Dispositif Emballage TO-247
- Charge de grille 270 nC
- Puissance - Max 348 W
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 1350 V
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 60A
- Énergie de Commutation -, 1.3mJ (off)
- Condition de test 300V, 60A, 39Ohm, 15V
