- Modèle
- GT40QR21(STA1,E,D
- Fabricant
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Catégories
- IGBTs simples
- Emballage
- Tube
- RoHS
- Conforme
- Fiche technique
- Télécharger
Spécifications techniques
- Type de montage Through Hole
- Statut de la pièce Active
- Type d'IGBT -
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 40 A
- 输入类型 Standard
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 1200 V
- Boîtier TO-3P-3, SC-65-3
- Td (on/off) @ 25°C -
- Température de fonctionnement 175°C (TJ)
- Puissance - Max 230 W
- Courant - Collecteur Pulsé (Icm) 80 A
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 40A
- Fournisseur Dispositif Emballage TO-3P(N)
- Temps de récupération inverse (trr) 600 ns
- Condition de test 280V, 40A, 10Ohm, 20V
- Énergie de Commutation -, 290µJ (off)
