- Modèle
- GT50JR21(STA1,E,S)
- Fabricant
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Catégories
- IGBTs simples
- Emballage
- Tube
- RoHS
- Conforme
- Fiche technique
- Télécharger
Spécifications techniques
- Type de montage Through Hole
- Statut de la pièce Active
- Type d'IGBT -
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 600 V
- 输入类型 Standard
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 50 A
- Condition de test -
- Boîtier TO-3P-3, SC-65-3
- Énergie de Commutation -
- Td (on/off) @ 25°C -
- Courant - Collecteur Pulsé (Icm) 100 A
- Température de fonctionnement 175°C (TJ)
- Puissance - Max 230 W
- Fournisseur Dispositif Emballage TO-3P(N)
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 50A
