- Modèle
- GT60N321(Q)
- Fabricant
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Catégories
- IGBTs simples
- Emballage
- Tube
- RoHS
- Conforme
Spécifications techniques
- Statut de la pièce Obsolete
- Type de montage Through Hole
- Température de fonctionnement 150°C (TJ)
- Type d'IGBT -
- 输入类型 Standard
- Condition de test -
- Temps de récupération inverse (trr) 2.5 µs
- Énergie de Commutation -
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 60 A
- Courant - Collecteur Pulsé (Icm) 120 A
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 1000 V
- Puissance - Max 170 W
- Boîtier TO-3PL
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 60A
- Td (on/off) @ 25°C 330ns/700ns
- Fournisseur Dispositif Emballage TO-3P(LH)
