- Modèle
- GT8G133(TE12L,Q)
- Fabricant
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Catégories
- IGBTs simples
- Emballage
- Tape & Reel (TR)
- RoHS
- Conforme
- Fiche technique
- Télécharger
Spécifications techniques
- Statut de la pièce Obsolete
- Type de montage Surface Mount
- Température de fonctionnement 150°C (TJ)
- Puissance - Max 600 mW
- Type d'IGBT -
- 输入类型 Standard
- Condition de test -
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 400 V
- Énergie de Commutation -
- Boîtier 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
- Fournisseur Dispositif Emballage 8-TSSOP
- Courant - Collecteur Pulsé (Icm) 150 A
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 4V, 150A
- Td (on/off) @ 25°C 1.7µs/2µs
