- Modèle
- HGTP3N60A4D
- Fabricant
- Fairchild Semiconductor
- Catégories
- IGBTs simples
- Emballage
- Tube
- RoHS
- Conforme
- Fiche technique
- Télécharger
Spécifications techniques
- Statut de la pièce Obsolete
- Type de montage Through Hole
- Boîtier TO-220-3
- Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
- Fournisseur Dispositif Emballage TO-220-3
- Type d'IGBT -
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 600 V
- 输入类型 Standard
- Courant - Collecteur Pulsé (Icm) 40 A
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 17 A
- Puissance - Max 70 W
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 3A
- Énergie de Commutation 37µJ (on), 25µJ (off)
- Charge de grille 21 nC
- Td (on/off) @ 25°C 6ns/73ns
- Condition de test 390V, 3A, 50Ohm, 15V
- Temps de récupération inverse (trr) 29 ns
