- Modèle
- IGD03N120S7ATMA1
- Fabricant
- Infineon Technologies
- Catégories
- IGBTs simples
- Emballage
- Cut Tape (CT)
- RoHS
- Conforme
- Fiche technique
- Télécharger
Spécifications techniques
- Statut de la pièce Active
- Type de montage Surface Mount
- Grade -
- Qualification -
- 输入类型 Standard
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 1200 V
- Boîtier TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
- Puissance - Max 45 W
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 10 A
- Fournisseur Dispositif Emballage PG-TO252-3
- Charge de grille 24 nC
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 3A
- Type d'IGBT Trench Field Stop
- Courant - Collecteur Pulsé (Icm) 9 A
- Énergie de Commutation 210µJ (on), 160µJ (off)
- Td (on/off) @ 25°C 19ns/89ns
- Condition de test 600V, 3A, 60Ohm, 15V
