- Modèle
- IGD08N120S7ATMA1
- Fabricant
- Infineon Technologies
- Catégories
- IGBTs simples
- Emballage
- Cut Tape (CT)
- RoHS
- Conforme
- Fiche technique
- Télécharger
Spécifications techniques
- Statut de la pièce Active
- Type de montage Surface Mount
- Grade -
- Qualification -
- 输入类型 Standard
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 1200 V
- Boîtier TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
- Charge de grille 55 nC
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 24 A
- Fournisseur Dispositif Emballage PG-TO252-3
- Courant - Collecteur Pulsé (Icm) 24 A
- Type d'IGBT Trench Field Stop
- Puissance - Max 106 W
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 8A
- Condition de test 600V, 8A, 20Ohm, 15V
- Énergie de Commutation 460µJ (on), 410µJ (off)
- Td (on/off) @ 25°C 15ns/149ns
