Menu
Contact
et demander un devis
Produit

MIB10N65AT0Y-TP

IGBT TRENCH FS 650V 20A D2PAK

MIB10N65AT0Y-TP
Modèle
MIB10N65AT0Y-TP
Catégories
IGBTs simples
Emballage
Tape & Reel (TR)
RoHS
Conforme
Fiche technique
Télécharger

Spécifications techniques

  • Statut de la pièce Active
  • Type de montage Surface Mount
  • Grade -
  • Qualification -
  • 输入类型 Standard
  • Puissance - Max 100 W
  • Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Courant - Collecteur (Ic) (Max) 20 A
  • Courant - Collecteur Pulsé (Icm) 40 A
  • Fournisseur Dispositif Emballage D2PAK
  • Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 650 V
  • Type d'IGBT Trench Field Stop
  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 10A
  • Temps de récupération inverse (trr) 176 ns
  • Charge de grille 59 nC
  • Td (on/off) @ 25°C 10ns/68ns
  • Énergie de Commutation 360µJ (on), 170µJ (off)
  • Condition de test 300V, 10A, 51Ohm, 15V

Scannez le code QR pour suivre notre compte WeChat.

Code QR WeChat
Fermer la fenêtre pop-up de WeChat