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Produit

MIF200R12C2TF-BP

GBT MODULES

MIF200R12C2TF-BP
Modèle
MIF200R12C2TF-BP
Catégories
Modules IGBT
Emballage
Tape & Reel (TR)
RoHS
Conforme
Fiche technique
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Spécifications techniques

  • Statut de la pièce Active
  • Type de montage Chassis Mount
  • Fournisseur Dispositif Emballage -
  • Boîtier Module
  • Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 1200 V
  • Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Courant de collecteur de coupure (Max) 1 mA
  • 输入 Standard
  • Thermistance NTC No
  • Courant - Collecteur (Ic) (Max) 200 A
  • Type d'IGBT Trench
  • Puissance - Max 1250 W
  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 200A
  • Configuration Half Bridge Inverter
  • Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 12800 pF @ 25 V

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