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Produit

MIP15R12P2STN-BP

IGBT DISCRETE

MIP15R12P2STN-BP
Modèle
MIP15R12P2STN-BP
Catégories
Modules IGBT
Emballage
Bulk
RoHS
Conforme
Fiche technique
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Spécifications techniques

  • Statut de la pièce Active
  • Type de montage Chassis Mount
  • Boîtier Module
  • Type d'IGBT -
  • Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 1200 V
  • Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Courant de collecteur de coupure (Max) 1 mA
  • Configuration Three Phase Inverter with Brake
  • 输入 Three Phase Bridge Rectifier
  • Thermistance NTC Yes
  • Courant - Collecteur (Ic) (Max) 15 A
  • Puissance - Max 155 W
  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 15A
  • Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 980 pF @ 25 V
  • Fournisseur Dispositif Emballage P2S

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