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Produit

MIP50R12E2TN-BP

IGBT MODULES

MIP50R12E2TN-BP
Modèle
MIP50R12E2TN-BP
Catégories
Modules IGBT
Emballage
Tape & Reel (TR)
RoHS
Conforme

Spécifications techniques

  • Statut de la pièce Active
  • Type de montage Chassis Mount
  • Fournisseur Dispositif Emballage -
  • Boîtier Module
  • Type d'IGBT -
  • Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 1200 V
  • Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Courant de collecteur de coupure (Max) 1 mA
  • Configuration Three Phase Inverter
  • 输入 Three Phase Bridge Rectifier
  • Thermistance NTC Yes
  • Courant - Collecteur (Ic) (Max) 35 A
  • Puissance - Max 227 W
  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 35A
  • Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 2000 pF @ 25 V

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