- Modèle
- NVH660S75L4SPFB
- Fabricant
- onsemi
- Catégories
- Modules IGBT
- Emballage
- Bulk
- RoHS
- Conforme
- Fiche technique
- Télécharger
Spécifications techniques
- Statut de la pièce Active
- Type de montage Chassis Mount
- Boîtier Module
- 输入 Standard
- Configuration Three Phase Inverter
- Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
- Courant de collecteur de coupure (Max) 500 µA
- Thermistance NTC Yes
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 750 V
- Type d'IGBT Field Stop
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 660 A
- Puissance - Max 733 W
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.44V @ 15V, 450A
- Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 63000 pF @ 30 V
- Fournisseur Dispositif Emballage SSDC33
