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Produit

NXH100T120L3Q0S1NG

1200V GEN III Q0PACK WITH NI-PLA

NXH100T120L3Q0S1NG
Modèle
NXH100T120L3Q0S1NG
Fabricant
onsemi
Catégories
Modules IGBT
Emballage
Tray
RoHS
Conforme
Fiche technique
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Spécifications techniques

  • Statut de la pièce Active
  • Type de montage Chassis Mount
  • Boîtier Module
  • Type d'IGBT -
  • 输入 Standard
  • Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Thermistance NTC Yes
  • Courant de collecteur de coupure (Max) 200 µA
  • Courant - Collecteur (Ic) (Max) 54 A
  • Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 650 V
  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 75A
  • Configuration Three Level Inverter
  • Puissance - Max 122 W
  • Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 4877 pF @ 25 V
  • Fournisseur Dispositif Emballage 18-PIM/Q0PACK (55x32.5)

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