- Modèle
- NXH100T120L3Q0S1NG
- Fabricant
- onsemi
- Catégories
- Modules IGBT
- Emballage
- Tray
- RoHS
- Conforme
- Fiche technique
- Télécharger
Spécifications techniques
- Statut de la pièce Active
- Type de montage Chassis Mount
- Boîtier Module
- Type d'IGBT -
- 输入 Standard
- Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
- Thermistance NTC Yes
- Courant de collecteur de coupure (Max) 200 µA
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 54 A
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 650 V
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 75A
- Configuration Three Level Inverter
- Puissance - Max 122 W
- Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 4877 pF @ 25 V
- Fournisseur Dispositif Emballage 18-PIM/Q0PACK (55x32.5)