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Produit

NXH200B100H4F2SG-R

1500V F2 BOOST FOR SOLAR PIM

NXH200B100H4F2SG-R
Modèle
NXH200B100H4F2SG-R
Fabricant
onsemi
Catégories
Modules IGBT
Emballage
Tray
RoHS
Conforme
Fiche technique
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Spécifications techniques

  • Statut de la pièce Obsolete
  • Type de montage Chassis Mount
  • Boîtier Module
  • Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 输入 Standard
  • Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 1000 V
  • Thermistance NTC Yes
  • Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100 A
  • Courant de collecteur de coupure (Max) 200 µA
  • Type d'IGBT Trench Field Stop
  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 100A
  • Configuration Three Level Inverter
  • Puissance - Max 93 W
  • Fournisseur Dispositif Emballage 36-PIM (56.7x48)
  • Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 6523 pF @ 20 V

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