- Modèle
- NXH200T120H3Q2F2STNG
- Fabricant
- onsemi
- Catégories
- Modules IGBT
- Emballage
- Tray
- RoHS
- Conforme
- Fiche technique
- Télécharger
Spécifications techniques
- Statut de la pièce Active
- Type de montage Chassis Mount
- Boîtier Module
- Configuration Half Bridge
- 输入 Standard
- Thermistance NTC No
- Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
- Courant de collecteur de coupure (Max) 500 µA
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 650 V
- Type d'IGBT Trench Field Stop
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 330 A
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 200A
- Fournisseur Dispositif Emballage 56-PIM/Q2PACK (93x47)
- Puissance - Max 679 W
- Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 35.615 nF @ 25 V