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Produit

NXH240B120H3Q1P1G

150KW 110V Q1BOOST PRESS-FIT PI

NXH240B120H3Q1P1G
Modèle
NXH240B120H3Q1P1G
Fabricant
onsemi
Catégories
Modules IGBT
Emballage
Tray
RoHS
Conforme
Fiche technique
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Spécifications techniques

  • Statut de la pièce Active
  • Type de montage Chassis Mount
  • Boîtier Module
  • Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 1200 V
  • Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 输入 Standard
  • Thermistance NTC No
  • Type d'IGBT Trench Field Stop
  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 80A
  • Courant de collecteur de coupure (Max) 150 µA
  • Courant - Collecteur (Ic) (Max) 92 A
  • Configuration Three Level Inverter
  • Fournisseur Dispositif Emballage 32-PIM (71x37.4)
  • Puissance - Max 266 W
  • Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 19082 pF @ 20 V

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