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Produit

NXH350N100H4Q2F2P1G-R

GEN1.5 1500V MASS MARKET

NXH350N100H4Q2F2P1G-R
Modèle
NXH350N100H4Q2F2P1G-R
Fabricant
onsemi
Catégories
Modules IGBT
Emballage
Tray
RoHS
Conforme
Fiche technique
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Spécifications techniques

  • Statut de la pièce Obsolete
  • Type de montage Chassis Mount
  • Boîtier Module
  • Courant de collecteur de coupure (Max) 1 mA
  • 输入 Standard
  • Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 1000 V
  • Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Thermistance NTC Yes
  • Type d'IGBT Trench Field Stop
  • Configuration Three Level Inverter
  • Courant - Collecteur (Ic) (Max) 303 A
  • Puissance - Max 592 W
  • Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 24.146 nF @ 20 V
  • Fournisseur Dispositif Emballage 42-PIM/Q2PACK (93x47)
  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 375A

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