- Modèle
- NXH50M65L4Q1PTG
- Fabricant
- onsemi
- Catégories
- Modules IGBT
- Emballage
- Tray
- RoHS
- Conforme
- Fiche technique
- Télécharger
Spécifications techniques
- Statut de la pièce Active
- Type de montage Chassis Mount
- Boîtier Module
- 输入 Standard
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 48 A
- Thermistance NTC Yes
- Température de fonctionnement 175°C (TJ)
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 650 V
- Type d'IGBT Trench Field Stop
- Courant de collecteur de coupure (Max) 300 µA
- Configuration Full Bridge
- Puissance - Max 86 W
- Fournisseur Dispositif Emballage 53-PIM/Q2PACK (93x47)
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.22V @ 15V, 50A
- Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 3.137 nF @ 20 V