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Produit

NXH600B100H4Q2F2PG

MASS MARKET GEN3 Q2BOOST WITH PR

NXH600B100H4Q2F2PG
Modèle
NXH600B100H4Q2F2PG
Fabricant
onsemi
Catégories
Modules IGBT
Emballage
Tray
RoHS
Conforme
Fiche technique
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Spécifications techniques

  • Statut de la pièce Active
  • Type de montage Chassis Mount
  • Boîtier Module
  • 输入 Standard
  • Configuration Three Phase Inverter
  • Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Thermistance NTC Yes
  • Courant de collecteur de coupure (Max) 10 µA
  • Type d'IGBT Trench Field Stop
  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 200A
  • Courant - Collecteur (Ic) (Max) 192 A
  • Puissance - Max 511 W
  • Fournisseur Dispositif Emballage 44-PIM (93x47)
  • Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 1 kV
  • Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 13256 pF @ 20 V

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