- Modèle
- NXH600B100H4Q2F2S1G
- Fabricant
- onsemi
- Catégories
- Modules IGBT
- Emballage
- Tray
- RoHS
- Conforme
- Fiche technique
- Télécharger
Spécifications techniques
- Statut de la pièce Active
- Type de montage Chassis Mount
- Boîtier Module
- 输入 Standard
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 1000 V
- Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
- Thermistance NTC Yes
- Type d'IGBT Trench Field Stop
- Courant de collecteur de coupure (Max) 20 µA
- Configuration Three Level Inverter
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 200A
- Fournisseur Dispositif Emballage 56-PIM (93x47)
- Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 12687.7 pF @ 20 V
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 173 A
- Puissance - Max 422 W
