- Modèle
- NXH800A100L4Q2F2P2G
- Fabricant
- onsemi
- Catégories
- Modules IGBT
- Emballage
- Tray
- RoHS
- Conforme
- Fiche technique
- Télécharger
Spécifications techniques
- Statut de la pièce Active
- Type de montage Chassis Mount
- Boîtier Module
- 输入 Standard
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 1000 V
- Configuration Three Phase Inverter
- Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
- Thermistance NTC Yes
- Type d'IGBT Trench Field Stop
- Courant de collecteur de coupure (Max) 20 µA
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 400A
- Puissance - Max 714 W
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 309 A
- Fournisseur Dispositif Emballage 51-PIM/Q2PACK (93x47)
- Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 49700 pF @ 20 V