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Produit

NXH800H120L7QDSG

1200V 800A QDUAL3

NXH800H120L7QDSG
Modèle
NXH800H120L7QDSG
Fabricant
onsemi
Catégories
Modules IGBT
Emballage
Tray
RoHS
Conforme
Fiche technique
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Spécifications techniques

  • Statut de la pièce Active
  • Type de montage Chassis Mount
  • Boîtier Module
  • Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 1200 V
  • Configuration Half Bridge
  • 输入 Standard
  • Thermistance NTC No
  • Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Courant de collecteur de coupure (Max) 100 µA
  • Type d'IGBT Trench Field Stop
  • Courant - Collecteur (Ic) (Max) 800 A
  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 800A
  • Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 94300 pF @ 25 V
  • Fournisseur Dispositif Emballage 11-PIM (152x62.15)

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