- Modèle
- NXH80T120L2Q0P2G
- Fabricant
- onsemi
- Catégories
- Modules IGBT
- Emballage
- Tray
- RoHS
- Conforme
- Fiche technique
- Télécharger
Spécifications techniques
- Statut de la pièce Active
- Type de montage Chassis Mount
- Boîtier Module
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 1200 V
- Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
- 输入 Standard
- Thermistance NTC Yes
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 67 A
- Type d'IGBT Trench Field Stop
- Courant de collecteur de coupure (Max) 300 µA
- Configuration Three Level Inverter
- Fournisseur Dispositif Emballage 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
- Puissance - Max 158 W
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.85V @ 15V, 80A
- Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 19.4 nF @ 20 V
