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Produit

NXH80T120L3Q0S3G

PIM GENERATION3 Q0PACK 1200V, 80

NXH80T120L3Q0S3G
Modèle
NXH80T120L3Q0S3G
Fabricant
onsemi
Catégories
Modules IGBT
Emballage
Tray
RoHS
Conforme
Fiche technique
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Spécifications techniques

  • Statut de la pièce Active
  • Type de montage Chassis Mount
  • Boîtier Module
  • Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 1200 V
  • Configuration Half Bridge
  • 输入 Standard
  • Courant - Collecteur (Ic) (Max) 75 A
  • Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Thermistance NTC Yes
  • Type d'IGBT Trench Field Stop
  • Courant de collecteur de coupure (Max) 300 µA
  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 80A
  • Fournisseur Dispositif Emballage 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
  • Puissance - Max 188 W
  • Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 18.15 nF @ 20 V

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