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Produit

RGS60NL65DHRBTL

IGBT TRENCH FS 650V 59A TO-263L

RGS60NL65DHRBTL
Modèle
RGS60NL65DHRBTL
Fabricant
ROHM Semiconductor
Catégories
IGBTs simples
Emballage
Cut Tape (CT)
RoHS
Conforme

Spécifications techniques

  • Statut de la pièce Active
  • Type de montage Surface Mount
  • Grade Automotive
  • Qualification AEC-Q101
  • 输入类型 Standard
  • Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Temps de récupération inverse (trr) 95 ns
  • Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Condition de test 400V, 30A, 10Ohm, 15V
  • Courant - Collecteur Pulsé (Icm) 90 A
  • Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 650 V
  • Type d'IGBT Trench Field Stop
  • Charge de grille 36 nC
  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 30A
  • Courant - Collecteur (Ic) (Max) 59 A
  • Fournisseur Dispositif Emballage TO-263L
  • Puissance - Max 228 W
  • Énergie de Commutation 650µJ (on), 790µJ (off)
  • Td (on/off) @ 25°C 31ns/94ns

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