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Produit

RGT8BM65DGTL1

IGBT TRENCH FS 650V 12A TO-252GE

RGT8BM65DGTL1
Modèle
RGT8BM65DGTL1
Fabricant
ROHM Semiconductor
Catégories
IGBTs simples
Emballage
Cut Tape (CT)
RoHS
Conforme

Spécifications techniques

  • Statut de la pièce Active
  • Type de montage Surface Mount
  • Grade -
  • Qualification -
  • 输入类型 Standard
  • Boîtier TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
  • Énergie de Commutation -
  • Temps de récupération inverse (trr) 40 ns
  • Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Courant - Collecteur (Ic) (Max) 12 A
  • Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 650 V
  • Type d'IGBT Trench Field Stop
  • Puissance - Max 62 W
  • Courant - Collecteur Pulsé (Icm) 12 A
  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 4A
  • Charge de grille 13.5 nC
  • Td (on/off) @ 25°C 17ns/69ns
  • Condition de test 400V, 4A, 50Ohm, 15V
  • Fournisseur Dispositif Emballage TO-252GE

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