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Produit

RGW50TS65GC13

IGBT TRENCH FS 650V 50A TO-247GE

RGW50TS65GC13
Modèle
RGW50TS65GC13
Fabricant
ROHM Semiconductor
Catégories
IGBTs simples
Emballage
Tube
RoHS
Conforme
Fiche technique
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Spécifications techniques

  • Type de montage Through Hole
  • Statut de la pièce Active
  • Grade -
  • Qualification -
  • Boîtier TO-247-3
  • 输入类型 Standard
  • Courant - Collecteur (Ic) (Max) 50 A
  • Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Courant - Collecteur Pulsé (Icm) 100 A
  • Puissance - Max 156 W
  • Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 650 V
  • Type d'IGBT Trench Field Stop
  • Charge de grille 73 nC
  • Condition de test 400V, 25A, 10Ohm, 15V
  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 25A
  • Énergie de Commutation 390µJ (on), 430µJ (off)
  • Td (on/off) @ 25°C 35ns/102ns
  • Fournisseur Dispositif Emballage TO-247GE

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