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Produit

RGW80NL65DHRBTL

IGBT TRENCH FS 650V 83A TO-263L

RGW80NL65DHRBTL
Modèle
RGW80NL65DHRBTL
Fabricant
ROHM Semiconductor
Catégories
IGBTs simples
Emballage
Cut Tape (CT)
RoHS
Conforme

Spécifications techniques

  • Statut de la pièce Active
  • Type de montage Surface Mount
  • Grade Automotive
  • Qualification AEC-Q101
  • 输入类型 Standard
  • Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Courant - Collecteur Pulsé (Icm) 160 A
  • Charge de grille 110 nC
  • Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Temps de récupération inverse (trr) 92 ns
  • Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 650 V
  • Type d'IGBT Trench Field Stop
  • Condition de test 400V, 20A, 10Ohm, 15V
  • Puissance - Max 227 W
  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 40A
  • Courant - Collecteur (Ic) (Max) 83 A
  • Td (on/off) @ 25°C 42ns/148ns
  • Fournisseur Dispositif Emballage TO-263L
  • Énergie de Commutation 240µJ (on), 330µJ (off)

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