- Modèle
- SNXH150B120H3Q2F2PG-N
- Fabricant
- onsemi
- Catégories
- Modules IGBT
- Emballage
- Tray
- RoHS
- Conforme
- Fiche technique
- Télécharger
Spécifications techniques
- Statut de la pièce Active
- Type de montage Chassis Mount
- Boîtier Module
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 1200 V
- 输入 Standard
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 80 A
- Thermistance NTC Yes
- Courant de collecteur de coupure (Max) 400 µA
- Température de fonctionnement 175°C (TJ)
- Configuration 3 Independent
- Type d'IGBT Trench Field Stop
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 80A
- Puissance - Max 279 W
- Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 19137 pF @ 20 V
- Fournisseur Dispositif Emballage 35-PIM (93x47)
