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Produit

SNXH150B95H3Q2F2PG-N

GEN-III 1500V Q2BOOST INTERNAL S

SNXH150B95H3Q2F2PG-N
Modèle
SNXH150B95H3Q2F2PG-N
Fabricant
onsemi
Catégories
Modules IGBT
Emballage
Tray
RoHS
Conforme
Fiche technique
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Spécifications techniques

  • Statut de la pièce Active
  • Type de montage Chassis Mount
  • Boîtier Module
  • 输入 Standard
  • Courant - Collecteur (Ic) (Max) 75 A
  • Thermistance NTC Yes
  • Température de fonctionnement 175°C (TJ)
  • Puissance - Max 190 W
  • Type d'IGBT Trench Field Stop
  • Courant de collecteur de coupure (Max) 300 µA
  • Configuration Three Level Inverter
  • Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 950 V
  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.21V @ 15V, 75A
  • Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 4773 pF @ 20 V
  • Fournisseur Dispositif Emballage 48-PIM (107.2x47)

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