- Modèle
- SNXH800H120L7QDSG
- Fabricant
- onsemi
- Catégories
- Modules IGBT
- Emballage
- Bulk
- RoHS
- Conforme
- Fiche technique
- Télécharger
Spécifications techniques
- Statut de la pièce Active
- Type de montage Chassis Mount
- Boîtier Module
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 1200 V
- Configuration Half Bridge
- 输入 Standard
- Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
- Thermistance NTC Yes
- Courant de collecteur de coupure (Max) 100 µA
- Type d'IGBT Trench Field Stop
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 800 A
- Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 94300 pF @ 25 V
- Fournisseur Dispositif Emballage 11-PIM (152x62.15)
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 800A